창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4621UR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1700옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3.5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4621UR | |
| 관련 링크 | 1N46, 1N4621UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AIA2-XXE | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIA2-XXE.pdf | |
![]() | 7-1393234-3 | RELAY GEN PURP | 7-1393234-3.pdf | |
![]() | RG1608N-54R9-D-T5 | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-54R9-D-T5.pdf | |
![]() | CRCW0201887KFNED | RES SMD 887K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201887KFNED.pdf | |
![]() | AM79CP01AJC | AM79CP01AJC AMD PLCC | AM79CP01AJC.pdf | |
![]() | 1N4757A/51 | 1N4757A/51 ST DO-41 | 1N4757A/51.pdf | |
![]() | 76PSB08T | 76PSB08T GYL DIP8WAY | 76PSB08T.pdf | |
![]() | HY5PS1G1631CFP-S5 | HY5PS1G1631CFP-S5 hynix FBGA84 | HY5PS1G1631CFP-S5.pdf | |
![]() | QD8087-2 | QD8087-2 INTEL DIP | QD8087-2.pdf | |
![]() | RGE-900 | RGE-900 RAYCHEM DIP | RGE-900.pdf | |
![]() | RC2012F5101CS | RC2012F5101CS SAMSUNG SMD or Through Hole | RC2012F5101CS.pdf | |
![]() | RX2A226M0811MBB180 | RX2A226M0811MBB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RX2A226M0811MBB180.pdf |