창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4555B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4555B | |
| 관련 링크 | 1N45, 1N4555B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | Y162210K0000F9L | RES 10K OHM 8W 1% TO220-2 | Y162210K0000F9L.pdf | |
![]() | CW00530R00JB12 | CW00530R00JB12 DALE SMD or Through Hole | CW00530R00JB12.pdf | |
![]() | MR52-12S | MR52-12S NEC SMD or Through Hole | MR52-12S.pdf | |
![]() | K9F2G08ROA-JIB0 | K9F2G08ROA-JIB0 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F2G08ROA-JIB0.pdf | |
![]() | EPC2LC20 N | EPC2LC20 N ALTERA PLCC20 | EPC2LC20 N.pdf | |
![]() | CR1/10 F TAPE 25R | CR1/10 F TAPE 25R HRElectronics SMD or Through Hole | CR1/10 F TAPE 25R.pdf | |
![]() | XO37CREHNA80M | XO37CREHNA80M vishay SMD or Through Hole | XO37CREHNA80M.pdf | |
![]() | LTW-E670SL | LTW-E670SL LITEON SMD-4 | LTW-E670SL.pdf | |
![]() | 103A565-*IBM | 103A565-*IBM MMI SOP20 | 103A565-*IBM.pdf | |
![]() | 2N7002F215 | 2N7002F215 N/A SMD or Through Hole | 2N7002F215.pdf | |
![]() | KMF50VB471M12X20LL | KMF50VB471M12X20LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KMF50VB471M12X20LL.pdf |