창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4550B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 500mV | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4550B | |
| 관련 링크 | 1N45, 1N4550B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| UBT1A331MPD | 330µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | UBT1A331MPD.pdf | ||
![]() | 445W23A25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23A25M00000.pdf | |
![]() | MA4L101-134 | MA4L101-134 MA/COM nul | MA4L101-134.pdf | |
![]() | GRM3196R2A270JZ01D | GRM3196R2A270JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM3196R2A270JZ01D.pdf | |
![]() | panadac921-1 | panadac921-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | panadac921-1.pdf | |
![]() | SL6101 | SL6101 ORIGINAL DIP | SL6101.pdf | |
![]() | PFA3630 | PFA3630 ORIGINAL NEW | PFA3630.pdf | |
![]() | HPF500 | HPF500 N/A SMD or Through Hole | HPF500.pdf | |
![]() | FX2NC-96MT | FX2NC-96MT MITSUBISHI SMD or Through Hole | FX2NC-96MT.pdf | |
![]() | LE51V17400CT-6 | LE51V17400CT-6 ORIGINAL TSSOP | LE51V17400CT-6.pdf | |
![]() | GH-1C-12D | GH-1C-12D GOLDEN DIP | GH-1C-12D.pdf | |
![]() | 28F640J3C150 | 28F640J3C150 INTEL BGA | 28F640J3C150.pdf |