창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4465US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4460-96US, 1N6485-91US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 300nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, A | |
| 공급 장치 패키지 | D-5A | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4465US | |
| 관련 링크 | 1N44, 1N4465US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F48012ATT | 48MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012ATT.pdf | |
![]() | DTA144VKAT146 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | DTA144VKAT146.pdf | |
![]() | RMCF0603FT1R33 | RES SMD 1.33 OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT1R33.pdf | |
![]() | LL45R | LL45R ORIGINAL SOP8 | LL45R.pdf | |
![]() | EM02R206T | EM02R206T ENABLE TSOP | EM02R206T.pdf | |
![]() | 74AHC1G04GW+125 | 74AHC1G04GW+125 NXP SMD or Through Hole | 74AHC1G04GW+125.pdf | |
![]() | ALC259-VC2-CG | ALC259-VC2-CG Realtek SMD or Through Hole | ALC259-VC2-CG.pdf | |
![]() | SCO-020-16.0000MHz | SCO-020-16.0000MHz SUNNY SMD or Through Hole | SCO-020-16.0000MHz.pdf | |
![]() | BC857 3G | BC857 3G CHANGDIAN SOT23 | BC857 3G.pdf | |
![]() | IDT75K72100S100BLI | IDT75K72100S100BLI IDT FCBGA | IDT75K72100S100BLI.pdf | |
![]() | HC10AF | HC10AF TOSHIBA SMD or Through Hole | HC10AF.pdf | |
![]() | IDT9DB803DGILF | IDT9DB803DGILF IDT SMD or Through Hole | IDT9DB803DGILF.pdf |