창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4370A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N4370AMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4370A | |
| 관련 링크 | 1N43, 1N4370A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | Y6073100K000S9L | RES 100K OHM 0.3W 0.001% RADIAL | Y6073100K000S9L.pdf | |
![]() | FLI32656H-BG/FLI32652H-BG | FLI32656H-BG/FLI32652H-BG IC BGA | FLI32656H-BG/FLI32652H-BG.pdf | |
![]() | DJ622 | DJ622 ORIGINAL DIP | DJ622.pdf | |
![]() | F1163CT | F1163CT ORIGINAL SMD or Through Hole | F1163CT.pdf | |
![]() | XDK-5101AGWA | XDK-5101AGWA ORIGINAL SMD or Through Hole | XDK-5101AGWA.pdf | |
![]() | TCSCE1A106MAAR | TCSCE1A106MAAR SAMSUNG SMD | TCSCE1A106MAAR.pdf | |
![]() | EPF10D30EQC208-3N | EPF10D30EQC208-3N ALTERA QFP | EPF10D30EQC208-3N.pdf | |
![]() | BVN-6523RD2 | BVN-6523RD2 LITEON DIP | BVN-6523RD2.pdf | |
![]() | CP1501W | CP1501W PANJIT SMD or Through Hole | CP1501W.pdf | |
![]() | G40TC10M | G40TC10M ORIGINAL TO-220F | G40TC10M.pdf | |
![]() | CBB22 225J400V | CBB22 225J400V HY () SMD or Through Hole | CBB22 225J400V.pdf | |
![]() | 5M4416 | 5M4416 MIT DIP | 5M4416.pdf |