창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4120UR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 22.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4120UR | |
관련 링크 | 1N41, 1N4120UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | PME271YB5220MR19T0 | 0.022µF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.287" W (18.50mm x 7.30mm) | PME271YB5220MR19T0.pdf | |
![]() | ECH-U1473JC9 | 0.047µF Film Capacitor 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 2416 (6041 Metric) 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm) | ECH-U1473JC9.pdf | |
![]() | 7010.7030.13 | FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC | 7010.7030.13.pdf | |
![]() | 4P060F35CHT | 6MHz ±30ppm 수정 32pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P060F35CHT.pdf | |
![]() | ASTMHTD-16.000MHZ-XC-E | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-16.000MHZ-XC-E.pdf | |
![]() | RSD200N05TL | MOSFET N-CH 45V 20A CPT3 | RSD200N05TL.pdf | |
![]() | 0603LS-102XJLB | 0603LS-102XJLB COILCRAFT SMD or Through Hole | 0603LS-102XJLB.pdf | |
![]() | LM5035CSQ/NOPB | LM5035CSQ/NOPB NS LLP | LM5035CSQ/NOPB.pdf | |
![]() | C8051F632-GMR | C8051F632-GMR SiliconLaboratories QFN | C8051F632-GMR.pdf | |
![]() | SQC201609T-2R2M-N | SQC201609T-2R2M-N YAGEO SMD | SQC201609T-2R2M-N.pdf | |
![]() | HD2L3N-T2 | HD2L3N-T2 NEC SMD or Through Hole | HD2L3N-T2.pdf | |
![]() | F01A/1206 | F01A/1206 DIODES SOD-123 | F01A/1206.pdf |