창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4118UR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 20.45V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4118UR | |
관련 링크 | 1N41, 1N4118UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
NS12565T470MNV | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 2.78A 69 mOhm Max Nonstandard | NS12565T470MNV.pdf | ||
803PGA250-8A | 803PGA250-8A NI MODULE | 803PGA250-8A.pdf | ||
CAT803RTBI-G | CAT803RTBI-G Son/ON/Catalyst SOT-23 | CAT803RTBI-G.pdf | ||
YC62-4 1.96V 128mA | YC62-4 1.96V 128mA YC 62MM | YC62-4 1.96V 128mA.pdf | ||
IRFK3F054 | IRFK3F054 IR MODULE | IRFK3F054.pdf | ||
TGF4112 | TGF4112 Triquint SMD or Through Hole | TGF4112.pdf | ||
RC4559DG4 | RC4559DG4 TI SMD or Through Hole | RC4559DG4.pdf | ||
RYT121032/2 | RYT121032/2 HAFO DIP | RYT121032/2.pdf | ||
LEAF802 | LEAF802 N/A DIP-16 | LEAF802.pdf | ||
K4S560432A-TL75 | K4S560432A-TL75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S560432A-TL75.pdf | ||
SAF-C167CR-LM GA-T | SAF-C167CR-LM GA-T INFINEON QFP | SAF-C167CR-LM GA-T.pdf |