창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4100UR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4100UR | |
| 관련 링크 | 1N41, 1N4100UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LQW18AN4N9C80D | 4.9nH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 81 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN4N9C80D.pdf | |
![]() | ESR18EZPJ184 | RES SMD 180K OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ184.pdf | |
![]() | 93415DMQB | 93415DMQB FSC CDIP | 93415DMQB.pdf | |
![]() | 16V8Z-25JC | 16V8Z-25JC ORIGINAL PLCC-20 | 16V8Z-25JC.pdf | |
![]() | SPP3407D | SPP3407D ORIGINAL SOT23 | SPP3407D.pdf | |
![]() | 787616-2 | 787616-2 AMP SMD or Through Hole | 787616-2.pdf | |
![]() | 100BN.HMWWB909800 | 100BN.HMWWB909800 INTEL SMD or Through Hole | 100BN.HMWWB909800.pdf | |
![]() | LT3495EDDB#TRMPBF | LT3495EDDB#TRMPBF LT SMD or Through Hole | LT3495EDDB#TRMPBF.pdf | |
![]() | TC2185-2.8VCTT | TC2185-2.8VCTT MICROCHIP SOT-153 | TC2185-2.8VCTT.pdf | |
![]() | F08A40R | F08A40R MOSPEC TO-220-2 | F08A40R.pdf | |
![]() | VB30100SG-E3 | VB30100SG-E3 VISHAY TO-263 | VB30100SG-E3.pdf | |
![]() | CBH2012C121RT | CBH2012C121RT ORIGINAL 0805BEAD | CBH2012C121RT.pdf |