창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3889 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3889 thru 1N3893R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 12A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 200ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1242-1048 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3889 | |
| 관련 링크 | 1N3, 1N3889 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASVMB-33.333MHZ-XY-T | 33.333MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-33.333MHZ-XY-T.pdf | |
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![]() | LC75824E. | LC75824E. SANYO QFP | LC75824E..pdf | |
![]() | TDSG3157-M | TDSG3157-M TFK DIP | TDSG3157-M.pdf | |
![]() | 2867000802 | 2867000802 Molex N A | 2867000802.pdf | |
![]() | 7MBI50-120 | 7MBI50-120 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7MBI50-120.pdf | |
![]() | 74FST3125Q | 74FST3125Q IDT SSOP | 74FST3125Q.pdf | |
![]() | EP1800JM/883B | EP1800JM/883B ALTERA DIP | EP1800JM/883B.pdf |