창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3517A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3517A | |
| 관련 링크 | 1N35, 1N3517A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | ASPI-0316S-1R0N-T3 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 70 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0316S-1R0N-T3.pdf | |
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![]() | DS21372N | DS21372N DALLAS TQFP-32 | DS21372N.pdf | |
![]() | 216YBCGA16FH | 216YBCGA16FH ATI BGA | 216YBCGA16FH.pdf | |
![]() | CHO5002 | CHO5002 PHILIPS DIP | CHO5002.pdf | |
![]() | CL201209T-R56K | CL201209T-R56K ORIGINAL 0805-0.56UH | CL201209T-R56K.pdf | |
![]() | CP5298AM | CP5298AM CYP DIP40 | CP5298AM.pdf | |
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