창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3326RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 27.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3326RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3326RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRGH2010J68K | RES SMD 68K OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J68K.pdf | |
![]() | TC164-FR-079K09L | RES ARRAY 4 RES 9.09K OHM 1206 | TC164-FR-079K09L.pdf | |
![]() | 752161104GPTR13 | RES ARRAY 14 RES 100K OHM 16DRT | 752161104GPTR13.pdf | |
![]() | AME1117-ACCT(ADJ) | AME1117-ACCT(ADJ) AME TO252 | AME1117-ACCT(ADJ).pdf | |
![]() | H57V1262GTR | H57V1262GTR HYNIX SMD or Through Hole | H57V1262GTR.pdf | |
![]() | CHP21004R70J | CHP21004R70J IRC DIPSOP | CHP21004R70J.pdf | |
![]() | SG-615P-20.000000MHZC | SG-615P-20.000000MHZC EPSON ORIGINAL | SG-615P-20.000000MHZC.pdf | |
![]() | TDA8532P | TDA8532P ORIGINAL DIP-16 | TDA8532P.pdf | |
![]() | ZMM5B1 2% | ZMM5B1 2% ST LL34 | ZMM5B1 2%.pdf | |
![]() | HMBD2004C | HMBD2004C ORIGINAL SOT-23 | HMBD2004C.pdf | |
![]() | QA11343-D2 | QA11343-D2 Foxconn N A | QA11343-D2.pdf |