창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3325RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3325RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3325RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | FDMS86381_F085 | POWER TRENCH MOSFET | FDMS86381_F085.pdf | |
|  | 7241AMC | 7241AMC MOTO B N | 7241AMC.pdf | |
|  | SC542569VFV | SC542569VFV N/A N A | SC542569VFV.pdf | |
|  | KTY82/210,235 | KTY82/210,235 NXP original | KTY82/210,235.pdf | |
|  | L78LR05EL-TR-E | L78LR05EL-TR-E SANYO SOT252-5 | L78LR05EL-TR-E.pdf | |
|  | PAOL20L8BCS | PAOL20L8BCS ORIGINAL SMD or Through Hole | PAOL20L8BCS.pdf | |
|  | RG82P4300M QE09 | RG82P4300M QE09 ORIGINAL BGA | RG82P4300M QE09.pdf | |
|  | MCD224-16IO1 | MCD224-16IO1 IXYS SMD or Through Hole | MCD224-16IO1.pdf | |
|  | MAX6694TE | MAX6694TE MAXIM QFN | MAX6694TE.pdf | |
|  | MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 | MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 MICRON WAFER | MT29F1G16ABBDAM68A3WC1.pdf | |
|  | BXX51 | BXX51 ORIGINAL SMD or Through Hole | BXX51.pdf | |
|  | W2SG0006 | W2SG0006 WIWI QFN | W2SG0006.pdf |