창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3325B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3325B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3325B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C2012JB1H335M125AB | 3.3µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1H335M125AB.pdf | |
![]() | MJD31CQ-13 | TRANS NPN 100V 3A DPAK | MJD31CQ-13.pdf | |
![]() | LSISAS1078 C2 (62098C4) | LSISAS1078 C2 (62098C4) LSI bga575 | LSISAS1078 C2 (62098C4).pdf | |
![]() | BFS17W,115 | BFS17W,115 NXP SMD or Through Hole | BFS17W,115.pdf | |
![]() | FS88A2C | FS88A2C FORTUNE SO8 | FS88A2C.pdf | |
![]() | 20177 | 20177 SONY SOP-28 | 20177.pdf | |
![]() | US1236ACPTR | US1236ACPTR UNISEM SMD or Through Hole | US1236ACPTR.pdf | |
![]() | MSFB06-85-030/10PAD/ 85.38MHZ | MSFB06-85-030/10PAD/ 85.38MHZ KSS SMD or Through Hole | MSFB06-85-030/10PAD/ 85.38MHZ.pdf | |
![]() | LTC2215IUP#PBF/C | LTC2215IUP#PBF/C LT SMD or Through Hole | LTC2215IUP#PBF/C.pdf | |
![]() | LT1074GT | LT1074GT ORIGINAL SMD or Through Hole | LT1074GT.pdf | |
![]() | 8873CSANG6HA2=13-TNM123-01M01 | 8873CSANG6HA2=13-TNM123-01M01 TOSHIBA DIP64 | 8873CSANG6HA2=13-TNM123-01M01.pdf |