창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3315RA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3315RA | |
관련 링크 | 1N33, 1N3315RA 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
GRM188R61A334MA61D | 0.33µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R61A334MA61D.pdf | ||
824541581 | TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB | 824541581.pdf | ||
BFP840ESDH6327XTSA1 | IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4 | BFP840ESDH6327XTSA1.pdf | ||
ELJ-RF10NGFB | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 410 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-RF10NGFB.pdf | ||
JW1FSN-B-DC24V | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 24VDC Coil Through Hole | JW1FSN-B-DC24V.pdf | ||
93C56GR | 93C56GR MY-MS DIP-8 | 93C56GR.pdf | ||
UTC2025/N8J09B | UTC2025/N8J09B UTC DIP16 | UTC2025/N8J09B.pdf | ||
DS1110S-50 | DS1110S-50 MAX Call | DS1110S-50.pdf | ||
LMK03001DISQETR | LMK03001DISQETR NS SMD or Through Hole | LMK03001DISQETR.pdf | ||
KML4D3P12SA | KML4D3P12SA KEC SOT-23 | KML4D3P12SA.pdf | ||
P83CE528EFB/012 | P83CE528EFB/012 PHI QFP | P83CE528EFB/012.pdf |