창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3311B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3311B | |
관련 링크 | 1N33, 1N3311B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HV1245-2R7356-R | 35F Supercap 2.7V Radial, Can 20 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 65°C 0.492" Dia (12.50mm) | HV1245-2R7356-R.pdf | |
![]() | BSZ520N15NS3 G | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON | BSZ520N15NS3 G.pdf | |
![]() | SCRH125B-681 | 680µH Shielded Inductor 660mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | SCRH125B-681.pdf | |
![]() | LH28F512BFBD-PTSLZ4 | LH28F512BFBD-PTSLZ4 SHARP BGA | LH28F512BFBD-PTSLZ4.pdf | |
![]() | 62175-58 | 62175-58 MOT QFP | 62175-58.pdf | |
![]() | 2987IM-3.3 | 2987IM-3.3 NS SOP8 | 2987IM-3.3.pdf | |
![]() | CY7C408A-25DC | CY7C408A-25DC CYPRESS CDIP | CY7C408A-25DC.pdf | |
![]() | IDT2305-1DCG/IDT2305-10CG | IDT2305-1DCG/IDT2305-10CG IDT SOP8 | IDT2305-1DCG/IDT2305-10CG.pdf | |
![]() | LP621024DM-70LLIF | LP621024DM-70LLIF AMIC SOP32 | LP621024DM-70LLIF.pdf | |
![]() | SKKH41/16E | SKKH41/16E ORIGINAL SMD or Through Hole | SKKH41/16E.pdf | |
![]() | MB93475PB-GE1 | MB93475PB-GE1 FUJITSU BGA | MB93475PB-GE1.pdf |