창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3310A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3310A | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3310A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CC0402JRNPO8BN221 | 220pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402JRNPO8BN221.pdf | |
![]() | 416F30035AKT | 30MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035AKT.pdf | |
![]() | RP73D2B634KBTDF | RES SMD 634K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B634KBTDF.pdf | |
![]() | MBB02070C9093FC100 | RES 909K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C9093FC100.pdf | |
![]() | GT216-205 | GT216-205 NVIDIA BGA | GT216-205.pdf | |
![]() | A301E-11-GW | A301E-11-GW PARALIGHT SMD or Through Hole | A301E-11-GW.pdf | |
![]() | SK010M6800B7F-1625 | SK010M6800B7F-1625 YAGEO DIP | SK010M6800B7F-1625.pdf | |
![]() | LT11720CT | LT11720CT LT TO220 | LT11720CT.pdf | |
![]() | D2103 | D2103 N/A TO220 | D2103.pdf | |
![]() | MMSZ3V0ET1 | MMSZ3V0ET1 ONS SMD or Through Hole | MMSZ3V0ET1.pdf | |
![]() | S5930-66TQ | S5930-66TQ QUALITY SSOP | S5930-66TQ.pdf |