창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3308RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3308RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3308RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S3JB-13-F | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | S3JB-13-F.pdf | |
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![]() | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N) | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N) JST SMD | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N).pdf | |
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![]() | LGHK100527NJ-T(0402-27NH) | LGHK100527NJ-T(0402-27NH) ORIGINAL SMD or Through Hole | LGHK100527NJ-T(0402-27NH).pdf | |
![]() | AP2120N3.3TRG1 | AP2120N3.3TRG1 BCD SMD or Through Hole | AP2120N3.3TRG1.pdf | |
![]() | AKMLPO-10 | AKMLPO-10 AKM DIP | AKMLPO-10.pdf | |
![]() | 22-29-2111 | 22-29-2111 Molex SMD or Through Hole | 22-29-2111.pdf | |
![]() | 36MHZ 18PF | 36MHZ 18PF TOYOCOM 2P5032 | 36MHZ 18PF.pdf | |
![]() | JA33331-H13P-4F | JA33331-H13P-4F FOXCONN SMD or Through Hole | JA33331-H13P-4F.pdf |