창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3308RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3308RB | |
관련 링크 | 1N33, 1N3308RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RL255GP-TP | DIODE GEN PURP 2.5A 600V R3 | RL255GP-TP.pdf | |
![]() | MMBZ5251C-G3-18 | DIODE ZENER 22V 225MW SOT23-3 | MMBZ5251C-G3-18.pdf | |
![]() | 5400R-156H | 15mH Unshielded Inductor 167mA 1.88 Ohm Max Radial | 5400R-156H.pdf | |
![]() | KTR03EZPJ162 | RES SMD 1.6K OHM 5% 1/10W 0603 | KTR03EZPJ162.pdf | |
![]() | SF-T5-30-T01 | SF-T5-30-T01 TDK SMD or Through Hole | SF-T5-30-T01.pdf | |
![]() | MC14094BDR2G(14094BG) | MC14094BDR2G(14094BG) ON SMD or Through Hole | MC14094BDR2G(14094BG).pdf | |
![]() | PESD5V0S1UJ,115 | PESD5V0S1UJ,115 NXPSEMI SMD or Through Hole | PESD5V0S1UJ,115.pdf | |
![]() | MSM82C51A-2J3 | MSM82C51A-2J3 OKI PLCC | MSM82C51A-2J3.pdf | |
![]() | NRC12F1152TR | NRC12F1152TR NIC SMD or Through Hole | NRC12F1152TR.pdf | |
![]() | UPS2709T-E3 | UPS2709T-E3 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPS2709T-E3.pdf | |
![]() | XC3S25E-5FTG256C | XC3S25E-5FTG256C XILINX BGA | XC3S25E-5FTG256C.pdf | |
![]() | BAS516.115 | BAS516.115 NXP na | BAS516.115.pdf |