창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3308RA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3308RA | |
관련 링크 | 1N33, 1N3308RA 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MLG1005S62NHT000 | 62nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.4 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S62NHT000.pdf | |
![]() | RT1206DRE0716R9L | RES SMD 16.9 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0716R9L.pdf | |
![]() | DVP1500 | DVP1500 AKI N A | DVP1500.pdf | |
![]() | RLC10K1R00FTH | RLC10K1R00FTH KAM RES | RLC10K1R00FTH.pdf | |
![]() | FM25LX64-GTR | FM25LX64-GTR Ramtron SMD or Through Hole | FM25LX64-GTR.pdf | |
![]() | 28C256ERPFB | 28C256ERPFB SEI PGA | 28C256ERPFB.pdf | |
![]() | EPX81600QC208-10 | EPX81600QC208-10 ALTERA QFP208 | EPX81600QC208-10.pdf | |
![]() | ST3602013.41 | ST3602013.41 ST SOP16 | ST3602013.41.pdf | |
![]() | SM712GE020000-AA | SM712GE020000-AA LYNXEM BGA | SM712GE020000-AA.pdf | |
![]() | JX2N3867 | JX2N3867 MOT CAN3 | JX2N3867.pdf |