창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2984A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2984A | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2984A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | Y1121187R000T0L | RES SMD 187OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121187R000T0L.pdf | |
![]() | YC162-JR-071KL | RES ARRAY 2 RES 1K OHM 0606 | YC162-JR-071KL.pdf | |
![]() | MGV12N120D | MGV12N120D ON TO268 | MGV12N120D.pdf | |
![]() | LDPC-230 | LDPC-230 ORIGINAL M | LDPC-230.pdf | |
![]() | AX3113S(2A) | AX3113S(2A) AXELITE SOP8 | AX3113S(2A).pdf | |
![]() | 19-217/T1D-CP1Q2QY/3T | 19-217/T1D-CP1Q2QY/3T EVERLIGHT SMD0603 | 19-217/T1D-CP1Q2QY/3T.pdf | |
![]() | M30825MW-096GP | M30825MW-096GP ORIGINAL QFP | M30825MW-096GP.pdf | |
![]() | BSC027N03S | BSC027N03S Infineon P-TDSON-8 | BSC027N03S.pdf | |
![]() | S-PPU2 C | S-PPU2 C NINTENDO QFP | S-PPU2 C.pdf | |
![]() | ABS-14/6 | ABS-14/6 ORIGINAL SMD or Through Hole | ABS-14/6.pdf | |
![]() | IX1030GE | IX1030GE SHARP DIP | IX1030GE.pdf | |
![]() | THGBM4G8D4GBAIE | THGBM4G8D4GBAIE TOSHIBADOLLARI SMD or Through Hole | THGBM4G8D4GBAIE.pdf |