창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2980A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 12.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2980A | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2980A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ELL-ATV5R1N | 5.1µH Shielded Wirewound Inductor 4.35A 14 mOhm Nonstandard | ELL-ATV5R1N.pdf | |
![]() | RCP0603B91R0JS2 | RES SMD 91 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B91R0JS2.pdf | |
![]() | Y07859K09000B9L | RES 9.09K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y07859K09000B9L.pdf | |
![]() | K4J55325QF-GC20 | K4J55325QF-GC20 SAMSUNG BGA | K4J55325QF-GC20.pdf | |
![]() | TMS3492APJ | TMS3492APJ TI QFP | TMS3492APJ.pdf | |
![]() | LC89975M | LC89975M SANYO SOP-14 | LC89975M.pdf | |
![]() | MAX745EAP6068 | MAX745EAP6068 MAXIM SOP | MAX745EAP6068.pdf | |
![]() | X./SOT-23-6 | X./SOT-23-6 NS SOT23-6 | X./SOT-23-6.pdf | |
![]() | 4195BS | 4195BS SAMSUNG SMD or Through Hole | 4195BS.pdf | |
![]() | MAX406EWI | MAX406EWI MAXIM SOP28 | MAX406EWI.pdf | |
![]() | GO6200SQ-N-A2 | GO6200SQ-N-A2 NVIDIA BGA | GO6200SQ-N-A2.pdf |