창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2971B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 5.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2971B | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2971B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TS036F23IET | 3.579545MHz ±20ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS036F23IET.pdf | |
![]() | RG1608P-3090-B-T5 | RES SMD 309 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-3090-B-T5.pdf | |
![]() | KIA378R12 | KIA378R12 KEC SMD or Through Hole | KIA378R12.pdf | |
![]() | S3C2451GH-40 | S3C2451GH-40 SAMSUNG BGA | S3C2451GH-40.pdf | |
![]() | INETX3100PGV | INETX3100PGV TI QFP | INETX3100PGV.pdf | |
![]() | HY5DS113222 FMP-33 | HY5DS113222 FMP-33 ORIGINAL BGA | HY5DS113222 FMP-33.pdf | |
![]() | APA831 | APA831 ORIGINAL DIP | APA831.pdf | |
![]() | SI4912 | SI4912 VISHAY SOP8 | SI4912.pdf | |
![]() | BD7911FV-E | BD7911FV-E ORIGINAL SMD | BD7911FV-E.pdf | |
![]() | L77-DE09S-F179 | L77-DE09S-F179 AMPLIMITE/WSI SMD or Through Hole | L77-DE09S-F179.pdf | |
![]() | RU6915TF | RU6915TF KICOH QFP | RU6915TF.pdf |