창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2832RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2832RB | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2832RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D301FXBAR | 300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D301FXBAR.pdf | |
![]() | MKP385582063JPI5T0 | 8.2µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385582063JPI5T0.pdf | |
![]() | MUN5237T1G | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | MUN5237T1G.pdf | |
![]() | 4211R-23 | 138 Ohm Max Ferrite Bead Axial Through Hole 1 Lines | 4211R-23.pdf | |
![]() | IDT72413L25SO | IDT72413L25SO IDT SMD or Through Hole | IDT72413L25SO.pdf | |
![]() | UPD78011FYGC-R10-AB8 | UPD78011FYGC-R10-AB8 NEC QFP | UPD78011FYGC-R10-AB8.pdf | |
![]() | SFH4200 | SFH4200 OSRAM SMD or Through Hole | SFH4200.pdf | |
![]() | AMA6670PLF | AMA6670PLF MEDL DIP | AMA6670PLF.pdf | |
![]() | MX536AJEWE+ | MX536AJEWE+ MAXIM SMD or Through Hole | MX536AJEWE+.pdf | |
![]() | APT4030BN | APT4030BN APT 400V15A150WNFET | APT4030BN.pdf | |
![]() | GSOT05-HT3-GS08 | GSOT05-HT3-GS08 Vishay SMD or Through Hole | GSOT05-HT3-GS08.pdf |