창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2812B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 14V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 10.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2812B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2812B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | H11AA4M | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP | H11AA4M.pdf | |
![]() | CMF55200K00DHR6 | RES 200K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55200K00DHR6.pdf | |
![]() | Y00892K40000AR1R | RES 2.4K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00892K40000AR1R.pdf | |
![]() | 5003AJG494-PA20C | 5003AJG494-PA20C ORIGINAL DIP32 | 5003AJG494-PA20C.pdf | |
![]() | DMX-8600DO | DMX-8600DO ORIGINAL BGA | DMX-8600DO.pdf | |
![]() | MC69C433TQ15 | MC69C433TQ15 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC69C433TQ15.pdf | |
![]() | R3111Q321C-TR | R3111Q321C-TR RICOH SOT343 | R3111Q321C-TR.pdf | |
![]() | RP710060 | RP710060 TYCO SMD or Through Hole | RP710060.pdf | |
![]() | AD7983BCPZ-RL | AD7983BCPZ-RL ADI LFCSP-10 | AD7983BCPZ-RL.pdf | |
![]() | ESE156M025AC3AA | ESE156M025AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESE156M025AC3AA.pdf | |
![]() | S22S12F10 | S22S12F10 ORIGINAL SMD or Through Hole | S22S12F10.pdf | |
![]() | FC809-TL | FC809-TL SANYO SOT-23-5 | FC809-TL.pdf |