창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N1188 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N1188 thru 1N1190R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 35A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 190°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 1242-1045 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N1188 | |
관련 링크 | 1N1, 1N1188 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
TC020080BP10238BJ1 | 1000pF 8000V(8kV) 세라믹 커패시터 비표준형, 태빙 1.772" Dia(45.00mm) | TC020080BP10238BJ1.pdf | ||
MKP1839162634 | 620pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKP1839162634.pdf | ||
FDSD0412-H-R33M=P3 | 330nH Shielded Wirewound Inductor 6.4A 19 mOhm Max Nonstandard | FDSD0412-H-R33M=P3.pdf | ||
CRT0402-FZ-2151GLF | RES SMD 2.15K OHM 1% 1/16W 0402 | CRT0402-FZ-2151GLF.pdf | ||
RG1608P-2260-W-T1 | RES SMD 226 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-2260-W-T1.pdf | ||
SPD127R | SPD127R API NA | SPD127R.pdf | ||
F82C735-A | F82C735-A CHIPS QFP | F82C735-A.pdf | ||
PS0311-3R3NT | PS0311-3R3NT FENGHUA SMD or Through Hole | PS0311-3R3NT.pdf | ||
TC6952AN | TC6952AN TOSHIBA DIP | TC6952AN.pdf | ||
S00 21201 | S00 21201 MURR null | S00 21201.pdf | ||
RVB-10V100M | RVB-10V100M ELNA 4X5.3 | RVB-10V100M.pdf | ||
MS3521AGB10RHG0 | MS3521AGB10RHG0 QWAVE SOT23-6 | MS3521AGB10RHG0.pdf |