창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ200D5/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1900옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ200D5/TR12 | |
관련 링크 | 1EZ200D, 1EZ200D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 3410.0037.02 | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC 2SMD | 3410.0037.02.pdf | |
![]() | GL150F33CET | 15MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL150F33CET.pdf | |
![]() | 445I23H12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 32pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23H12M00000.pdf | |
![]() | VOM618A-X001T | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | VOM618A-X001T.pdf | |
![]() | PACUSB-D1Y5R | PACUSB-D1Y5R CMD/ON SMD or Through Hole | PACUSB-D1Y5R.pdf | |
![]() | 693218 | 693218 ORIGINAL SOP | 693218.pdf | |
![]() | Y15-1A-24DM | Y15-1A-24DM ORIGINAL DIP-SOP | Y15-1A-24DM.pdf | |
![]() | 93661C | 93661C INFINEON SOP-14 | 93661C.pdf | |
![]() | RCR50C121J | RCR50C121J KOA SMD or Through Hole | RCR50C121J.pdf | |
![]() | VJ1206Y474KXXAT | VJ1206Y474KXXAT ORIGINAL SMD or Through Hole | VJ1206Y474KXXAT.pdf | |
![]() | LX102A | LX102A ORIGINAL SMD or Through Hole | LX102A.pdf | |
![]() | LQP18MN39NG00D | LQP18MN39NG00D MURATA S0603 | LQP18MN39NG00D.pdf |