창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1EZ180D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 136.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1EZ180D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1EZ180D10, 1EZ180D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R3DXCAP | 1.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R3DXCAP.pdf | |
![]() | RCP2512W1K60JTP | RES SMD 1.6K OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W1K60JTP.pdf | |
![]() | 216D6TABFA12(M6-D) | 216D6TABFA12(M6-D) ATI BGA | 216D6TABFA12(M6-D).pdf | |
![]() | 3352C | 3352C ORIGINAL SOP-8 | 3352C.pdf | |
![]() | CB-1410B | CB-1410B ENE BGA | CB-1410B.pdf | |
![]() | 11EQS10-TA2B5 | 11EQS10-TA2B5 NIH SMD or Through Hole | 11EQS10-TA2B5.pdf | |
![]() | HI1-0508-2(HI1-508-2) | HI1-0508-2(HI1-508-2) INTERSIL DIP16 | HI1-0508-2(HI1-508-2).pdf | |
![]() | LA76933-7N-57N7(CH04T1303) | LA76933-7N-57N7(CH04T1303) SANYO DIP | LA76933-7N-57N7(CH04T1303).pdf | |
![]() | TC6B595 | TC6B595 TOSHIBA DIP SOP | TC6B595.pdf | |
![]() | MJW21200G | MJW21200G ORIGINAL SMD or Through Hole | MJW21200G.pdf | |
![]() | R9G04412 | R9G04412 Powerex module | R9G04412.pdf | |
![]() | AD804ARU2 | AD804ARU2 AD SMD or Through Hole | AD804ARU2.pdf |