창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1-5767017-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 1-5767017-2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BTB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 1-5767017-2 | |
| 관련 링크 | 1-5767, 1-5767017-2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2196T2A8R1DD01D | 8.1pF 100V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196T2A8R1DD01D.pdf | |
![]() | SIT8008AI-82-33E-66.670000Y | OSC XO 3.3V 66.67MHZ OE | SIT8008AI-82-33E-66.670000Y.pdf | |
![]() | IRF3710ZPBF | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB | IRF3710ZPBF.pdf | |
![]() | RG3216V-5600-W-T1 | RES SMD 560 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-5600-W-T1.pdf | |
![]() | 11N6096 | 11N6096 MOT SMD or Through Hole | 11N6096.pdf | |
![]() | 2N6322 | 2N6322 MOT/ST TO-3 | 2N6322.pdf | |
![]() | S3C80F9XGT-S0B7 | S3C80F9XGT-S0B7 SAMSUNG SOIC32 | S3C80F9XGT-S0B7.pdf | |
![]() | 90647-1003 | 90647-1003 MOLEX ORIGINAL | 90647-1003.pdf | |
![]() | LTC4443EDD-1#TRPBF/IDD | LTC4443EDD-1#TRPBF/IDD LT DFN | LTC4443EDD-1#TRPBF/IDD.pdf | |
![]() | DCX79EF0CFAE2FNC | DCX79EF0CFAE2FNC DSP QFN | DCX79EF0CFAE2FNC.pdf | |
![]() | DSSK20013A | DSSK20013A IXYS TO | DSSK20013A.pdf | |
![]() | PIC16F871 | PIC16F871 MICROCHI DIP-40 | PIC16F871.pdf |