창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8134,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8134 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TPC8134LQ(S TPC8134LQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8134,LQ(S | |
관련 링크 | TPC8134, TPC8134,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
C0603C681M3RACTU | 680pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C681M3RACTU.pdf | ||
BFC233623154 | 0.15µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC233623154.pdf | ||
CDSU400B | DIODE GEN PURP 80V 100MA 0603 | CDSU400B.pdf | ||
PESD5V0U1BATR-CT | PESD5V0U1BATR-CT NXP SMD or Through Hole | PESD5V0U1BATR-CT.pdf | ||
KBR00Y00A-D434 | KBR00Y00A-D434 SANSUNG BGA | KBR00Y00A-D434.pdf | ||
RA9069 | RA9069 RA SOP | RA9069.pdf | ||
IRLR3410IR | IRLR3410IR IR TO-252 | IRLR3410IR.pdf | ||
UB25SKG035D-DD-RO | UB25SKG035D-DD-RO NKK SMD or Through Hole | UB25SKG035D-DD-RO.pdf | ||
08D-9 | 08D-9 NTC DIP | 08D-9.pdf | ||
G2VN-234P-12VDC | G2VN-234P-12VDC OMRON DIP | G2VN-234P-12VDC.pdf | ||
R6766-11P | R6766-11P CONEXANT TQFP | R6766-11P.pdf | ||
A025DN01 V9 | A025DN01 V9 AUO SMD or Through Hole | A025DN01 V9.pdf |