ON Semiconductor TF262TH-5-TL-H

TF262TH-5-TL-H
제조업체 부품 번호
TF262TH-5-TL-H
제조업 자
제품 카테고리
접합형 전계 효과(JFET)
간단한 설명
JFET N-CH 1MA 100MW
데이터 시트 다운로드
다운로드
TF262TH-5-TL-H 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TF262TH-5-TL-H 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. TF262TH-5-TL-H 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TF262TH-5-TL-H가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TF262TH-5-TL-H 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TF262TH-5-TL-H 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TF262TH-5-TL-H
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TF262TH
PCN 단종/ EOLEOL 21/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군접합형 전계 효과(JFET)
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형N채널
전압 - 항복(V(BR)GSS)-
드레인 - 소스 전압(Vdss)-
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0)210µA @ 2V
전류 드레인(Id) - 최대1mA
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 1µA
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3.5pF @ 2V
저항 - RDS(On)-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지VTFP
전력 - 최대100mW
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TF262TH-5-TL-H
관련 링크TF262TH-, TF262TH-5-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
TF262TH-5-TL-H 의 관련 제품
0.18µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial MKP385418063JC02R0.pdf
8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) IMC1812EB8R2J.pdf
RES SMD 953 OHM 0.25% 1/10W 0603 RT0603CRC07953RL.pdf
6A16000085 TXC SMD or Through Hole 6A16000085.pdf
SS2030FL T/R Panjit Tape SS2030FL T/R.pdf
S6C1114A02-58X0 SAMSUNG TCP S6C1114A02-58X0.pdf
STP4N40F1 ST SMD or Through Hole STP4N40F1.pdf
216CPHAKA13FL X700 ATI BGA 216CPHAKA13FL X700.pdf
S553-0756-AE BEL SMD or Through Hole S553-0756-AE.pdf
FLP-E4-RE-HRF FRN SMD or Through Hole FLP-E4-RE-HRF.pdf
70-132 SELLERY SMD or Through Hole 70-132.pdf
1008T561JTE STETCO SMD or Through Hole 1008T561JTE.pdf