창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSJ151P10TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSJ151P10 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.35W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RSJ151P10TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSJ151P10TL | |
관련 링크 | RSJ151, RSJ151P10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
RCP2512B51R0GS6 | RES SMD 51 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B51R0GS6.pdf | ||
D870232 | D870232 ORIGINAL QFP | D870232.pdf | ||
DO1606T-222MLC | DO1606T-222MLC ORIGINAL SMD or Through Hole | DO1606T-222MLC.pdf | ||
S-1112B29PN-L60TEG | S-1112B29PN-L60TEG ORIGINAL TO23-5 | S-1112B29PN-L60TEG.pdf | ||
TCSCN1V335MCAR | TCSCN1V335MCAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCN1V335MCAR.pdf | ||
TLC277CDR/CD | TLC277CDR/CD TI SMD | TLC277CDR/CD.pdf | ||
IDT71M025L70CB | IDT71M025L70CB ORIGINAL DIP | IDT71M025L70CB.pdf | ||
DTC114WS | DTC114WS ORIGINAL SMD or Through Hole | DTC114WS.pdf | ||
2CW22B | 2CW22B CHINA SMD or Through Hole | 2CW22B.pdf | ||
BUE385 | BUE385 FSC TO-3P | BUE385.pdf | ||
NRSZ122M35V16X25 | NRSZ122M35V16X25 NIC SMD or Through Hole | NRSZ122M35V16X25.pdf | ||
CR-02JL6---5K1 | CR-02JL6---5K1 TMTEC PBFREE10055.1K | CR-02JL6---5K1.pdf |