창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-PNX85507EB/M10D0C2A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | PNX85507EB/M10D0C2A0 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIPSMT | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | PNX85507EB/M10D0C2A0 | |
관련 링크 | PNX85507EB/M, PNX85507EB/M10D0C2A0 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
C1206C105K3NACTU | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X8L 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C105K3NACTU.pdf | ||
B37930K5390J070 | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | B37930K5390J070.pdf | ||
GRM3196R2A561JZ01D | 560pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3196R2A561JZ01D.pdf | ||
PE-1206CD390KTT | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 120 mOhm Max Nonstandard | PE-1206CD390KTT.pdf | ||
TC62318AF | TC62318AF ORIGINAL SOP | TC62318AF.pdf | ||
AM27C101 | AM27C101 AMD DIP-32P( ) | AM27C101.pdf | ||
KS57C3016-24 | KS57C3016-24 SAMSUNG QFP-100P | KS57C3016-24.pdf | ||
12191387 | 12191387 DELPPHI SMD or Through Hole | 12191387.pdf | ||
MAX5085ATT | MAX5085ATT MAXIM TDFN-6 | MAX5085ATT.pdf | ||
B32669B6255j000 | B32669B6255j000 EPCOS SMD or Through Hole | B32669B6255j000.pdf | ||
1757336 | 1757336 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1757336.pdf |