창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MT3S15TU(TE85L) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MT3S15TU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 6V | |
주파수 - 트랜지션 | 11.5GHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.6dB @ 1GHz | |
이득 | 19dB | |
전력 - 최대 | 900mW | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | UFM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | MT3S15TU(TE85L)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MT3S15TU(TE85L) | |
관련 링크 | MT3S15TU(, MT3S15TU(TE85L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
S0603-68NH3 | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 370 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-68NH3.pdf | ||
PA31003K-36MATR | PA31003K-36MATR QUAL SMD or Through Hole | PA31003K-36MATR.pdf | ||
STV3208CP | STV3208CP ST DIP-40 | STV3208CP.pdf | ||
VGT7737-G093 | VGT7737-G093 VLSI PLCC68 | VGT7737-G093.pdf | ||
ESW-108-69-S-D | ESW-108-69-S-D SAMTEC ORIGINAL | ESW-108-69-S-D.pdf | ||
TL3845DRE4-8 | TL3845DRE4-8 TI SOIC | TL3845DRE4-8.pdf | ||
ME6201A50M3G | ME6201A50M3G ORIGINAL SOT-23 | ME6201A50M3G.pdf | ||
PKM2511EPIP | PKM2511EPIP Ericsson SMD or Through Hole | PKM2511EPIP.pdf | ||
334-15/W2C1-1UWB | 334-15/W2C1-1UWB EVERLIGHT SMD or Through Hole | 334-15/W2C1-1UWB.pdf | ||
ABTN | ABTN ORIGINAL QFN | ABTN.pdf | ||
MCC18-06I01 | MCC18-06I01 IXYS SMD or Through Hole | MCC18-06I01.pdf | ||
HZ18-2N | HZ18-2N RENESAS SOP DIP | HZ18-2N.pdf |