창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI120P04P404AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120P04P4-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 340µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 205nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14790pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000842274 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI120P04P404AKSA1 | |
관련 링크 | IPI120P04P, IPI120P04P404AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CRCW04022M37FKED | RES SMD 2.37M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04022M37FKED.pdf | ||
ORNA50-1T1 | RES NETWORK 4 RES MULT OHM 8SOIC | ORNA50-1T1.pdf | ||
CMF551K2700BERE | RES 1.27K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K2700BERE.pdf | ||
GB-C193TBKT | GB-C193TBKT LIGHTBEI SMD or Through Hole | GB-C193TBKT.pdf | ||
UPW1V681MHH1TD | UPW1V681MHH1TD NICHICON DIP | UPW1V681MHH1TD.pdf | ||
40823 | 40823 ORIGINAL CAN4 | 40823.pdf | ||
IDT6V49R901-022NLGI | IDT6V49R901-022NLGI IDT QFN32 | IDT6V49R901-022NLGI.pdf | ||
17E-1726-1 | 17E-1726-1 AMP SMD or Through Hole | 17E-1726-1.pdf | ||
HB2E-DC48V-1-H20 | HB2E-DC48V-1-H20 INTEL TO252 | HB2E-DC48V-1-H20.pdf | ||
6430.401.501 | 6430.401.501 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 6430.401.501.pdf | ||
K6T8016V3ATF55 | K6T8016V3ATF55 SAMSUNG TSOP | K6T8016V3ATF55.pdf |