창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC8003ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC8003 Preliminary Datasheet eGaN® FET Brief | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 500mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 38pF @ 50V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC8003ENGR | |
관련 링크 | EPC800, EPC8003ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
ARR07L103KGA | 10000pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | ARR07L103KGA.pdf | ||
1825SA221ZAT1A | 220pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825SA221ZAT1A.pdf | ||
LC7583 | LC7583 ORIGINAL QFP | LC7583.pdf | ||
PA1121.101NLT | PA1121.101NLT PULSE SMD or Through Hole | PA1121.101NLT.pdf | ||
35SEV2R2M3X5.5 | 35SEV2R2M3X5.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 35SEV2R2M3X5.5.pdf | ||
HAS9P2406-9 | HAS9P2406-9 HAS SOP-16P | HAS9P2406-9.pdf | ||
1723I | 1723I LINEAR SMD or Through Hole | 1723I.pdf | ||
RLS4148(TE-11) | RLS4148(TE-11) ROHM SMD or Through Hole | RLS4148(TE-11).pdf | ||
FMMT6520 | FMMT6520 ZETEX SMD or Through Hole | FMMT6520.pdf | ||
SP6210-9 | SP6210-9 IR SMD or Through Hole | SP6210-9.pdf | ||
VY01 | VY01 LINAH TO99-10 | VY01.pdf |