창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR8405 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF(R,U)8405 | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.98m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5171pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 163W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | IRAUIRFR8405 SP001519800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR8405 | |
관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR8405 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
D120SC4M/D120SC6M | D120SC4M/D120SC6M ORIGINAL Module | D120SC4M/D120SC6M.pdf | ||
STW5093JS | STW5093JS ST SMD | STW5093JS.pdf | ||
ST127 | ST127 XG SMD or Through Hole | ST127.pdf | ||
B41141A2476M000 | B41141A2476M000 EPCOS SMD | B41141A2476M000.pdf | ||
20021321-000A0T4LF | 20021321-000A0T4LF FCI SMD or Through Hole | 20021321-000A0T4LF.pdf | ||
UPD16833 | UPD16833 NEC SSOP | UPD16833.pdf | ||
JM38510/17101 | JM38510/17101 TI CDIP | JM38510/17101.pdf | ||
AD8395AREZ | AD8395AREZ ADI SMD or Through Hole | AD8395AREZ.pdf | ||
MAX6385XS44D3-T | MAX6385XS44D3-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6385XS44D3-T.pdf | ||
SIQ124-220 | SIQ124-220 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIQ124-220.pdf | ||
UPD720112GK-9EU-A (NY) | UPD720112GK-9EU-A (NY) RENESAS SMD or Through Hole | UPD720112GK-9EU-A (NY).pdf | ||
WL1C337M0811M | WL1C337M0811M SAMWH DIP | WL1C337M0811M.pdf |