창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK3476(TE12L,Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SK3476 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | N채널 | |
주파수 | 520MHz | |
이득 | 11.4dB | |
전압 - 테스트 | 7.2V | |
정격 전류 | 3A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 500mA | |
전력 - 출력 | 7W | |
전압 - 정격 | 20V | |
패키지/케이스 | TO-271AA | |
공급 장치 패키지 | PW-X | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 2SK3476(TE12LQ)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK3476(TE12L,Q) | |
관련 링크 | 2SK3476(T, 2SK3476(TE12L,Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
416F27013AKR | 27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013AKR.pdf | ||
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